DRAMeXchange ने कहा कि इस साल अगस्त में DRAM अनुबंध मूल्य पिछले महीने के समान था, और DDR4 8GB की औसत कीमत $ 25.5 थी। हालांकि सितंबर अनुबंध मूल्य अभी भी बातचीत की जा रही है, यह अभी भी फ्लैट रहने की संभावना है। 2020 तक आगे बढ़ते हुए, तीन प्रमुख डीआरएएम निर्माताओं के लाभ-उन्मुख अभिविन्यास के कारण, इस वर्ष की तुलना में पूंजीगत व्यय अनुमान कम से कम 10% कम हो जाएगा। अगले साल उत्पादन की वार्षिक वृद्धि भी पिछले 10 वर्षों में सबसे कम है, केवल 12.5%, मूल्य प्रतिक्षेप के लिए एक निश्चित नींव रखना।
बाजार की तरफ, प्रमुख अर्धचालक कच्चे माल का निर्यात करने के लिए जापान सरकार की मंजूरी के साथ, जापान और दक्षिण कोरिया के बीच व्यापार मुद्दा जुलाई में शुरू हुआ, लेकिन इस अवधि के दौरान, ओईएम ग्राहक अनिश्चित कारकों और अपेक्षित मनोवैज्ञानिक कारकों से प्रभावित थे, जिसके कारण शेयरों के शेयरों में वृद्धि करने के लिए। स्टॉक वॉटर लेवल में धीरे-धीरे गिरावट आई है, जो सामान्य वाटर लेवल की ओर बढ़ रहा है।
इसके अलावा, तीसरा सीज़न पारंपरिक पीक सीज़न के साथ मेल खाता है, और संयुक्त राज्य अमेरिका दिसंबर के शुरू में कुछ महाद्वीपों को निर्यात किए गए इलेक्ट्रॉनिक उत्पादों पर टैरिफ लागू करना शुरू कर देगा, जिसका शुरुआती शिपमेंट प्रभाव भी है। मांग अपेक्षा से अधिक मजबूत है, जो DRAM निर्माताओं को कीमतों पर बातचीत करने की अनुमति देता है। रवैया मजबूत था, और समग्र तीसरी तिमाही की कीमत मूल गिरावट को उलट कर सपाट हो गई।
जिबांग ने आगे विश्लेषण किया कि तीन प्रमुख डीआरएएम मूल कारखानों की विस्तार योजना रूढ़िवादी हो गई है। उदाहरण के लिए, सैमसंग का Pyeongtaek II संयंत्र पूरा होने वाला है, लेकिन यह 2020 की दूसरी तिमाही तक वाणिज्यिक हस्तांतरण में प्रवेश नहीं करेगा, और नए जोड़े गए उपकरण केवल भविष्य के 1Z नैनो-प्रक्रिया में संक्रमण का समर्थन कर रहे हैं, फिल्म की समग्र राशि होगी लगभग इस वर्ष के रूप में ही हो।
SK Hynix का नवीनतम M16 प्लांट अगले साल की दूसरी छमाही में पूरा हो जाएगा। उत्पादन क्षमता में सबसे तेज वृद्धि 2021 तक होगी, और पुराने कारखाने M10 को धीरे-धीरे OEM में बदल दिया जाएगा। यह अनुमान है कि अगले वर्ष समग्र DRAM उत्पादन मात्रा में वृद्धि या कमी नहीं होगी।
हिरोशिमा संयंत्र में इस साल माइक्रोन द्वारा जोड़ा गया एफ-बिल्डिंग प्लांट भी 1Z नैनो-प्रक्रिया को हस्तांतरण का समर्थन करने के लिए है। हिरोशिमा संयंत्र की समग्र क्षमता में वृद्धि नहीं हुई है। ताइवान में माइक्रोन स्टोरेज द्वारा बनाया जा रहा नया A3 प्लांट प्रारंभिक अवस्था में 1Znm प्रक्रिया का समर्थन करेगा और अल्पावधि में उत्पादन बढ़ाएगा। अवसर बड़ा नहीं है, हालांकि, जिबांग का मानना है कि ए 3 संयंत्र का आधार छोटा नहीं है, और भविष्य में नई क्षमता की संभावना अभी भी है।
भूमि कारखानों के संदर्भ में, वर्तमान में दो DRAM उत्पादन आधार हैं। बड़े हेफ़ेई चांगक्सिन को उत्पादन में डाल दिया गया है। प्रारंभिक उत्पाद मुख्य रूप से DDR4 8Gb हैं। अगले साल की पहली छमाही में LPDDR4 8Gb उत्पाद होंगे, जो बड़े पैमाने पर उत्पादन में जाना जारी रखेंगे, लेकिन इसके आने की उम्मीद है। 2021 में, उत्पादन क्षमता में 100,000 या पूर्ण भार तक पहुंचने का अवसर होगा।
हालांकि फ़ुज़ियान जिंहुआ अमेरिका के प्रतिबंध से प्रभावित था, कारखाने में इंजीनियरों द्वारा अमेरिकी उपकरणों को बनाए नहीं रखा जा सकता था, लेकिन आंतरिक लोगों ने अभी भी मापदंडों को अपने स्वयं के अनुकूलन के लिए समायोजित करने की कोशिश की। उम्मीद है कि फिल्म अगले साल 10,000 इकाइयों के भीतर होगी।
कुल मिलाकर, जिबांग का अनुमान है कि 2020 में, मुख्य भूमि के DRAM निवेश की मात्रा वैश्विक निवेश के 3% से कम होगी, और स्वतंत्र उत्पादन परिणाम सीमित रहेंगे। भविष्य में, मुख्य भूमि स्मृति उद्योग को अभी भी उपज, मशीन निर्माण और आईपी की चुनौतियों से पार पाने की आवश्यकता है, और समग्र DRAM उद्योग की आपूर्ति पर प्रभाव का सटीक समय मनाया जाना चाहिए।